每一次材料革命，都在重塑電子產業的未來。傳統MLCC的物理極限，正成為高端電子設備的性能瓶頸。
01.
硅電容：被動電子元件的革命性突破
硅電容(Silicon Capacitor)采用單晶硅襯底，通過深槽刻蝕技術在硅晶圓上構建三維微結構，再通過一系列薄膜沉積與刻蝕工藝實現高純度電介質層。這種融合半導體制造工藝的創新設計，使電容性能獲得了質的飛躍：
· 卓越的容值穩定性：包括溫度、偏壓和老化特性引起的容值漂移，不到MLCC的1/10；
· 超薄形態：可實現低于50微米的超薄厚度，甚至不到頭發絲直徑；
· 超高密度：單位面積容量提升10倍以上；
· 極低的ESL和ESR：保證信號完整性，降低電源燥聲和阻抗。
傳統MLCC采用陶瓷粉未堆疊燒結工藝，存在先天不足：陶瓷層間易產生微裂紋，高溫燒結導致內部應力積聚，多層結構帶來高寄生電感。而硅電容的單晶硅基底具有高度有序的原子排列，無晶界缺陷，從根本上解決了這些痛點。
硅電容并非對MLCC的簡單改良，而是一種基于半導體工藝的根本性技術革新。其優勢體現在多個維度，直接解決了MLCC在高性能應用中長期存在的“隱性妥協”。在5G/6G通信、高速處理器(如AI、HPC)的電源分配網絡 (PDN)、汽車電子(如ADAS、BMS)、醫療設備(植入式與體外診斷)等高端領域，硅電容正快速取代傳統MLCC，通過減少所需元件數量或提升系統整體可靠性，成為新一代電子系統的“性能心臟”。
02.
電子產品發展趨勢推動電容器突破性能邊界
終端輕薄化趨勢下，電容器向“五高一小”發展：
“五高”：高容、高頻、耐高溫、耐高壓、高可靠性；“一小”：小型化，即 0201，01005 等小尺寸占比提升。
· 5G/6G通信
通信帶寬走向高頻后，信號路徑上的損耗變得不可接受，這要求電容器具有更高的Q值和更高的SRF(自諧振頻率)。同時，為了集成到天線陣列和小型化模塊(如AiP)中，對電容器的小型化要求也達到了極致，01005乃至更小的008004尺寸已成為研發重點。
· 汽車電子
ADAS、LiDAR、車載信息娛樂和動力總成電氣化等應用，不僅需要海量的電容器，更對可靠性耐高溫(-55℃至+250℃)和耐高壓提出了嚴苛要求。
· 高性能計算（HPC）與AI數據中心
新一代CPU、GPU和AI加速器對功率的需求呈指數級增長，其PDN供電網絡設計面臨著巨大的挑戰。為了給這些高功耗芯片提供穩定、潔凈的電源，需要最先進的電源完整性解決方案。這直接驅動了對超低ESL（如IDC、LGA）和超高電容密度電容器的持續創新。同時也是CPO等下一代封裝技術發展的關鍵推動力之一。
03.
森丸電子發布多款量產硅電容產品性能比肩村田等國際大廠
森丸電子團隊深耕行業十余年，致力于推動全面無源集成時代，是國內首家掌握硅電容設計+制造全鏈技術的創新企業。目前基于森丸平臺的多款硅電容產品已經實現頭部客戶的量產交付，累計交付硅電容數億顆。
1）溝槽硅電容DTC
基于森丸高密度電容工藝平臺開發制備，采用深硅刻蝕、薄膜沉積和圖形化等半導體工藝制程。森丸DTC電容具有高電容密度、高耐壓，低寄生、高穩定可靠等優勢，廣泛應用于射頻電路、電源穩壓、光通信等領域。
應用領域
DTC電容由于其出色的電氣性能，如低ESR，ESL和插入損耗，以及出色的頻率穩定性特點，在光電領域主要應用于高速收發模塊（DSP、SerDes、Driver、PA）的PDN供電網絡的去耦電容，以及信號線的耦合電容等。這類高功耗、極高速率的應用場景，對電源的穩定、干凈和信號完整性有著極為嚴苛的要求，需要確保極低的阻抗以及插入損耗，減少噪聲對信號傳輸的影響，提高信號的信噪比和穩定性。
DTC硅電容在光通信中應用示意圖
主要參數
參數以SWAK0505A/B1R0為例，具體器件有差別，詳情可查詢森丸電子官網
產品容值表
典型產品參數
溫漂測試曲線和直流偏壓測試曲線(SWAK0505A/B1R0)
ESR測試曲線和容值頻率特性曲線(SWAK0505A/B1R0)
2）MIM表貼硅電容
SW-MIM硅電容采用平面薄膜沉積和圖形化工藝，薄膜工藝使其具有高精度和良好的頻率特性，具有高精度，小體積，低溫漂系數，高穩定性等優勢。
應用領域
MIM電容的小體積優勢適合高密度集成，低溫漂系數確保在不同溫度環境下電容值變化小，保證電路性能的穩定性，廣泛應用于射頻匹配電路等。
MIM電容在射頻電路中應用示意圖
主要參數
更具體性能按器件型號不同，可查詢森丸電子官網
產品容值表
MIS硅電容
基于森丸高精度電容工藝平臺開發制備，金屬_絕緣體_半導體的結構賦予其高耐壓和高穩定性。適用于打線等組裝工藝，能與多種半導體器件良好兼容，廣泛應用于射頻電路、光通信等領域。
應用領域
SW-MIS硅電容具有高精度，小體積，低溫漂系數，高穩定性等優勢，廣泛應用于需要阻斷直流或者射頻旁路的系統(耦合)、濾波器、振蕩器，和匹配網絡等，小體積優勢有利于系統的集成。
DC Blocking應用示意圖
主要參數
更具體性能按器件型號不同，可查詢森丸電子官網
產品容值表
4)玻璃電容
SW-GMIM電容基于森丸高精度玻璃工藝平臺開發制備，采用TGV、平面薄膜沉積和圖形化等半導體工藝制程。玻璃基材具有更好的機械穩定性，更低的電學損耗，能應用在更高頻的領域，適合與MIM電容的結合應用。玻璃MIM電容具有高擊穿電壓，高Q值與高穩定性，產品采用TGV連接背面金屬接地，采用引線鍵合焊盤結構，方便打線應用。
應用領域
SW-GMIM電容具有高精度，小體積，低溫漂系數，高穩定性等優勢，廣泛應用于射頻中匹配電路和光通信等。
GMIM電容在光通信電路中的應用示意圖
主要參數
更具體性能按器件型號不同，可查詢森丸電子官網
產品容值表
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